Co jeFET Latch -up ?

FET jezkratka pro Field Effect Transistor , typ elektronického zařízení, které řídí tok elektrického proudu přes obvod . Nejjednodušší typ FET jeodpor napětím řízený , ve kterémodporový element jebar křemíku . Termín FET západky -up se odkazuje na destruktivní , vysoce aktuální stav , který může být spuštěna určitými elektrickými vlivy , které působí na komponenty FET . FET latch - up obvykle brání normálnímu ovládání obvodu . Semiconductor

FET se skládá ze dvou typů polovodičových krystalů - materiály , které vedou elektřinu , ale velmi špatně - známý jako n - typu a p - typu. Dva vývody, nebo elektrody , známý jako mozků a zdroje , jsou připojeny k n - typu materiálu , zatímcotřetí svorka , známý jako brána , je připojen k p - typu materiálu . Proud, který teče mezi zdrojem a kanalizace je řízena elektrickým polem vytvořeným pomocí napětím mezi zdrojem a brány .
Příčina

FET latch -up dochází když čtyři střídavé n - typu a p - typu regiony přinesl těsně vedle sebe tak, aby se efektivně tvořit dva bipolární tranzistory - tranzistorů , které využívají jak pozitivní, tak i negativní nosiče náboje - známé jako NPN nebo PNP tranzistorů . Elektrický proud aplikován na bázi prvního tranzistoru je zesílen a předán do druhého tranzistoru . Je-livýstupní proud z obou tranzistorů je větší nežvstupní proud - nebo jinými slovy ,současné " zisk " je větší než 1 -proud přes oba zvyšuje

efekty

FET latch -up vede k nadměrné rozptýlení moci a vadné logiky v dotčeném bráně , nebo brány . Nadměrné ztrátový výkon vytváří nadměrné teplo, které může zničit FET úplně v extrémy případech . FET latch - up je proto velmi žádoucí a její prevence se stala hlavním designová záležitost , a to zejména v moderních tranzistorů . Moderní tranzistory se scvrkly do velikosti tak malé, jako 59 mikro palců , nebo 59 miliontin palce , ve snaze zvýšit hustotu obvodů a zlepšit celkovou výkonnost .
Prevence

FET je to, co je známé jako většina nosné zařízení . Jinými slovy , je proud provádí většina druhů nosných - buď záporně nabité částice , zvané elektrony , nebo kladně nabité nosiče , tzv. díry - v závislosti na přesné konstrukci FET . FET závora -up se lze vyhnout tím, že oddělí n - typu a p - typu materiálů se strukturou FET . Oddělení je často dosaženo leptání hluboký , úzký příkop naplněný izolačním materiálem mezi n - typu a p - typu.